2N269A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N269A

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2N269A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N269A даташит

 9.1. Size:319K  rca
 2n105 2n206 2n247 2n269 2n301 2n301a 2n331 2n356 2n357 2n358.pdf pdf_icon

2N269A

 9.2. Size:230K  no
 2n2698.pdf pdf_icon

2N269A

 9.3. Size:11K  semelab
 2n2696csm.pdf pdf_icon

2N269A

2N2696CSM Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar PNP Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 25V A = (0.04 0.004

Другие транзисторы: 2N2692, 2N2693, 2N2694, 2N2695, 2N2696, 2N2697, 2N2698, 2N2699, BD222, 2N27, 2N270, 2N2706, 2N2706M, 2N2706MP, 2N2707, 2N2708, 2N2709