Биполярный транзистор 2N269A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N269A
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO1
2N269A Datasheet (PDF)
2n2696csm.pdf
2N2696CSMDimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31rad.(0.012) Ceramic Surface Mount 3Package for High Reliability Applications 211.91 0.10(0.075 0.004)A0.31rad.Bipolar PNP Device. (0.012)3.05 0.13(0.12 0.005)1.40(0.055)1.02 0.10max.VCEO = 25V A =(0.04 0.004
Другие транзисторы... 2N2692 , 2N2693 , 2N2694 , 2N2695 , 2N2696 , 2N2697 , 2N2698 , 2N2699 , BD139 , 2N27 , 2N270 , 2N2706 , 2N2706M , 2N2706MP , 2N2707 , 2N2708 , 2N2709 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050