BC414BP - описание и поиск аналогов

 

BC414BP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BC414BP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC414BP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC414BP даташит

 9.1. Size:353K  cdil
 bc413 bc414 b c.pdf pdf_icon

BC414BP

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company BC413, B, C NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS BC414, B, C TO-92 Plastic Package E B C ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 C) DESCRIPTION SYMBOL BC413 BC414 UNITS Collector Emitter Voltage VCEO 30 45 V Collector Base Voltage VCBO 45 50 V Emitter Base Voltage VEBO 5.0 V Collector Current

 9.2. Size:130K  microelectronics
 bc413 bc414 bc415 bc416.pdf pdf_icon

BC414BP

Другие транзисторы: BC412, BC413, BC413B, BC413BP, BC413C, BC413CP, BC414, BC414B, C5198, BC414C, BC414CP, BC415, BC415A, BC415AP, BC415B, BC415BP, BC415C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.