BC477. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BC477
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: TO18
Аналоги (замена) для BC477
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC477 даташит
bc477 bc478 bc479.pdf
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
bc477.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company PNP SILICON PLANAR TRANSISTOR BC477 TO-18 General Purpose Audio Amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 deg C) DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT VCES 90 V Collector -Emitter Voltage VCEO 80 V Collector -Emitter Voltage VEBO 6.0 V Emitter Base Voltage IC 150 mA Collector Current Ptot 0.3 Pow
bc477ycsm.pdf
BC477YCSM Dimensions in mm (inches). Bipolar PNP Device in a 0.51 0.10 Hermetically sealed LCC1 (0.02 0.004) 0.31 rad. (0.012) Ceramic Surface Mount 3 Package for High Reliability Applications 21 1.91 0.10 (0.075 0.004) A 0.31 rad. Bipolar PNP Device. (0.012) 3.05 0.13 (0.12 0.005) 1.40 (0.055) 1.02 0.10 max. VCEO = 80V A = (0.04 0.004
bc477dcsm.pdf
BC477DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 80V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.1A C (0.05
Другие транзисторы: BC467B, BC468, BC468A, BC468B, BC468C, BC469, BC469B, BC469C, 8050, BC477A, BC477CSM, BC477QF, BC477VI, BC477XCSM, BC478, BC478A, BC478B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip3055 transistor | irf530 datasheet | 2sc2625 | 2sc1815 transistor | 2sd718 | 2n3053 transistor | 2sc458 replacement | bc557 transistor







