Биполярный транзистор BC559 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BC559
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
Корпус транзистора: TO92
- подбор биполярного транзистора по параметрам
BC559 Datasheet (PDF)
bc559 bc560.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BC559/DLow Noise TransistorsPNP SiliconBC559, B, CBC560CCOLLECTOR12BASE3EMITTER1MAXIMUM RATINGS23Rating Symbol BC559 BC560 UnitCASE 2904, STYLE 17CollectorEmitter Voltage VCEO 30 45 VdcTO92 (TO226AA)CollectorBase Voltage VCBO 30 50 VdcEmitterBase Voltage VEBO
bc559 4.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC559PNP general purpose transistor1999 May 28Product specificationSupersedes data of 1997 Jun 03Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistor BC559FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V).1 emitter2 baseAPPLICATIONS3 collector
bc556 bc557 bc558 bc559 bc560.pdf

BC556/557/558/559/560Switching and Amplifier High Voltage: BC556, VCEO= -65V Low Noise: BC559, BC560 Complement to BC546 ... BC 550TO-9211. Collector 2. Base 3. EmitterPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector-Base Voltage : BC556 -80 V: BC557/560 -50 V: BC558/559 -30 V
bc559.pdf

BC559Low Noise TransistorsPNP SiliconMAXIMUM RATINGSRating Symbol BC559 BC560 Unithttp://onsemi.comCollector-Emitter Voltage VCEO -30 -45 VdcCollector-Base Voltage VCBO -30 -50 VdcEmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current Continuous IC -100 mAdcTotal Device Dissipation @ PD mW1TA = 25C 62523Derate above 25C 5.0 mW/CTotal Device Dissipation @ P
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: KSD13003ER | BFR87B
History: KSD13003ER | BFR87B



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118