BC650DS. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BC650DS
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 680
Корпус транзистора: TO92
Аналоги (замена) для BC650DS
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BC650DS даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: BC639-6, BC640, BC640-10, BC640-6, BC650, BC650C, BC650CS, BC650D, 2SC5200, BC650E, BC650S, BC651, BC651C, BC651CS, BC651D, BC651DS, BC651E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690