2N2768. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2768

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO61

 Аналоги (замена) для 2N2768

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2768 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N2760, 2N2761, 2N2762, 2N2763, 2N2764, 2N2765, 2N2766, 2N2767, NJW0281G, 2N2769, 2N277, 2N2770, 2N2771, 2N2772, 2N2773, 2N2774, 2N2775