BC879 - описание и поиск аналогов

 

BC879 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BC879
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BC879

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BC879 - технические параметры

 ..1. Size:50K  philips
 bc875 bc879 4.pdf pdf_icon

BC879

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 BC875; BC879 NPN Darlington transistors 1999 May 28 Product specification Supersedes data of 1997 Apr 22 Philips Semiconductors Product specification NPN Darlington transistors BC875; BC879 FEATURES PINNING High DC current gain (min. 1000) PIN DESCRIPTION High current (max. 1 A) 1 base Low voltage (max. 80 V)

Другие транзисторы... BC860CW , BC860CWT1 , BC868 , BC869 , BC875 , BC876 , BC877 , BC878 , TIP2955 , BC880 , BCAP07 , BCAP07A , BCAP07B , BCAP08 , BCAP08A , BCAP08B , BCAP08C .

 

 
Back to Top

 


 
.