Биполярный транзистор BC879 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BC879
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO92
BC879 Datasheet (PDF)
0.1. bc875 bc879 4.pdf 
Size:50K _philips
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186BC875; BC879NPN Darlington transistors1999 May 28Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 22Philips Semiconductors Product specificationNPN Darlington transistors BC875; BC879FEATURES PINNING High DC current gain (min. 1000)PIN DESCRIPTION High current (max. 1 A)1 base Low voltage (max. 80 V)
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
