BCF29C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCF29C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 165 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 420

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для BCF29C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCF29C даташит

 9.1. Size:49K  philips
 bcf29 bcf30 cnv 2.pdf pdf_icon

BCF29C

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BCF29; BCF30 PNP general purpose transistors 1997 May 22 Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors BCF29; BCF30 FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (

Другие транзисторы: BCE107, BCE108, BCE109, BCE177, BCE178, BCE179, BCF29, BCF29B, C5198, BCF29R, BCF30, BCF30R, BCF32, BCF32R, BCF33, BCF33R, BCF39