Биполярный транзистор BCF29C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCF29C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 165 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
Корпус транзистора: TO92
BCF29C Datasheet (PDF)
9.1. Size:49K philips
bcf29 bcf30 cnv 2.pdf
bcf29 bcf30 cnv 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BCF29; BCF30PNP general purpose transistors1997 May 22Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistors BCF29; BCF30FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050