Справочник транзисторов. BCF30R

 

Биполярный транзистор BCF30R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCF30R
   Маркировка: C9
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 215
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCF30R Datasheet (PDF)

 9.1. Size:49K  philips
 bcf29 bcf30 cnv 2.pdf pdf_icon

BCF30R

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BCF29; BCF30PNP general purpose transistors1997 May 22Product specificationSupersedes data of September 1994File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistors BCF29; BCF30FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: BCP52-16 | BCP56-16T3G | BCP56-16T3 | BCAP13-16 | BD679AG | BD743D

 

 
Back to Top

 


 
.