BCP56-10T3. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCP56-10T3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для BCP56-10T3
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCP56-10T3 даташит
nsvbcp56-10t3g.pdf
BCP56 Series NPN Silicon Epitaxial Transistor These NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount http //onsemi.com applications. Features MEDIUM POWER NPN SILICON High Current 1.0 A HIGH CURRENT TRANSISTOR The SOT-223 package can be solder
bcp56-10t3g.pdf
BCP56 Series NPN Silicon Epitaxial Transistor These NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 package, which is designed for medium power surface mount http //onsemi.com applications. Features MEDIUM POWER NPN SILICON High Current 1.0 A HIGH CURRENT TRANSISTOR The SOT-223 package can be solder
bcp56t bcp56-10t bcp56-16t.pdf
BCP56T series 80 V, 1 A NPN medium power transistors Rev. 3 1 July 2022 Product data sheet 1. General description NPN medium power transistors in a medium power SOT223 (SC73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Table 1. Product overview Type number Package PNP complement Nexperia JEDEC BCP56T SOT223 SC-73 BCP53T BCP56-10T BCP53-10T BCP56-16T BCP53-16T 2. Features and b
bcp56-10t1g bcp56t3g.pdf
BCP56 Series, SBCP56 Series NPN Silicon Epitaxial Transistor These NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT-223 http //onsemi.com package, which is designed for medium power surface mount applications. MEDIUM POWER NPN SILICON Features HIGH CURRENT TRANSISTOR High Current 1.0 A SURFACE MOUNT The
Другие транзисторы: BCP55-10T1, BCP55-10T3, BCP55-16, BCP55-16T1, BCP55-16T3, BCP56, BCP56-10, BCP56-10T1, 2SC2240, BCP56-16, BCP56-16T1, BCP56-16T3, BCP56T3, BCP627A, BCP627B, BCP627C, BCP628A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor







