BCR108. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR108

Маркировка: WHs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCR108

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR108 даташит

 ..1. Size:35K  siemens
 bcr108.pdf pdf_icon

BCR108

BCR 108 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 108 WHs Q62702-C2253 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base

 0.1. Size:43K  siemens
 bcr108s.pdf pdf_icon

BCR108

BCR 108S NPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in on package Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 108S WHs Q62702-C2414 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values U

 0.2. Size:34K  siemens
 bcr108w.pdf pdf_icon

BCR108

BCR 108W NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 108W WHs Q62702-C2275 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-ba

 0.3. Size:205K  infineon
 bcr108f.pdf pdf_icon

BCR108

BCR108... NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2 k , R2=47 k ) BCR108S Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR108S For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified accord

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCP628C, BCP68, BCP68T1, BCP68T3, BCP69, BCP69T1, BCP69T3, BCR08PN, B647, BCR108S, BCR108W, BCR10PN, BCR112, BCR116, BCR116W, BCR119, BCR119S