Справочник транзисторов. BCR108S

 

Биполярный транзистор BCR108S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR108S
   Маркировка: WHs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.047
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 170 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SO363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCR108S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  siemens
 bcr108s.pdf pdf_icon

BCR108S

BCR 108SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in on package Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108S WHs Q62702-C2414 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values U

 8.1. Size:34K  siemens
 bcr108w.pdf pdf_icon

BCR108S

BCR 108WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108W WHs Q62702-C2275 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-ba

 8.2. Size:35K  siemens
 bcr108.pdf pdf_icon

BCR108S

BCR 108NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108 WHs Q62702-C2253 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base

 8.3. Size:205K  infineon
 bcr108f.pdf pdf_icon

BCR108S

BCR108...NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2 k, R2=47 k) BCR108S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR108S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified accord

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BCP68 , BCP68T1 , BCP68T3 , BCP69 , BCP69T1 , BCP69T3 , BCR08PN , BCR108 , BF422 , BCR108W , BCR10PN , BCR112 , BCR116 , BCR116W , BCR119 , BCR119S , BCR133 .

History: BD695A | BCP69-16 | BCP56-10T1G | BD825-6 | TP9012NND03 | BCF29

 

 
Back to Top

 


 
.