BCR10PN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR10PN

Маркировка: W1s

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT363

 Аналоги (замена) для BCR10PN

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR10PN даташит

 ..1. Size:62K  siemens
 bcr10pn.pdf pdf_icon

BCR10PN

BCR 10PN NPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=10k , R2=10k ) Tape loading orientation Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 10PN W1s Q62702-C2411 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximu

 ..2. Size:527K  infineon
 bcr10pn.pdf pdf_icon

BCR10PN

BCR10PN NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit 4 5 3 6 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP 2 1 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=10 k , R2 =10 k ) C1 B2 E2 6 5 4 Pb-free (RoHS compliant) package R2 Qualified according AEC Q101 R1 TR2 TR1 R1 R2 1

 9.1. Size:43K  siemens
 bcr108s.pdf pdf_icon

BCR10PN

BCR 108S NPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in on package Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 108S WHs Q62702-C2414 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363 Maximum Ratings Parameter Symbol Values U

 9.2. Size:34K  siemens
 bcr108w.pdf pdf_icon

BCR10PN

BCR 108W NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=47k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 108W WHs Q62702-C2275 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-ba

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCP68T3, BCP69, BCP69T1, BCP69T3, BCR08PN, BCR108, BCR108S, BCR108W, BD333, BCR112, BCR116, BCR116W, BCR119, BCR119S, BCR133, BCR133S, BCR133W