Биполярный транзистор BCR10PN - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCR10PN
Маркировка: W1s
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT363
BCR10PN Datasheet (PDF)
bcr10pn.pdf
BCR 10PNNPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=10k, R2=10k)Tape loading orientationType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 10PN W1s Q62702-C2411 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximu
bcr10pn.pdf
BCR10PNNPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit4536 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP21 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=10 k, R2 =10 k)C1 B2 E26 5 4 Pb-free (RoHS compliant) packageR2 Qualified according AEC Q101R1 TR2TR1 R1R21
bcr108s.pdf
BCR 108SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in on package Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108S WHs Q62702-C2414 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values U
bcr108w.pdf
BCR 108WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108W WHs Q62702-C2275 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-ba
bcr108.pdf
BCR 108NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108 WHs Q62702-C2253 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base
bcr108f.pdf
BCR108...NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2 k, R2=47 k) BCR108S: Two internally isolated transistors with good matching in one multichip package BCR108S: For orientation in reel see package information below Pb-free (RoHS compliant) package1) Qualified accord
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050