Справочник транзисторов. BCR10PN

 

Биполярный транзистор BCR10PN Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR10PN
   Маркировка: W1s
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCR10PN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  siemens
bcr10pn.pdfpdf_icon

BCR10PN

BCR 10PNNPN/PNP Silicon Digital Tansistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP Transistor in one package Built in bias resistor (R1=10k, R2=10k)Tape loading orientationType Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 10PN W1s Q62702-C2411 1=E1 2= B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximu

 ..2. Size:527K  infineon
bcr10pn.pdfpdf_icon

BCR10PN

BCR10PNNPN/PNP Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit4536 Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP21 Transistors in one package Built in bias resistor NPN and PNP (R1=10 k, R2 =10 k)C1 B2 E26 5 4 Pb-free (RoHS compliant) packageR2 Qualified according AEC Q101R1 TR2TR1 R1R21

 9.1. Size:43K  siemens
bcr108s.pdfpdf_icon

BCR10PN

BCR 108SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in on package Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108S WHs Q62702-C2414 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values U

 9.2. Size:34K  siemens
bcr108w.pdfpdf_icon

BCR10PN

BCR 108WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 108W WHs Q62702-C2275 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-ba

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BD746 | BCM846S | BD743B | BCP52-16T1 | BCP68T1 | BD946

 

 
Back to Top

 


 
.