BCR112. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR112

Маркировка: WFs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCR112

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR112 даташит

 ..1. Size:35K  siemens
bcr112.pdfpdf_icon

BCR112

BCR 112 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k , R2=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 112 WFs Q62702-C2254 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base

 0.1. Size:34K  siemens
bcr112w.pdfpdf_icon

BCR112

BCR 112W NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, inferface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k , R2=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 112W WFs Q62702-C2284 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-b

 0.2. Size:834K  infineon
bcr112w.pdfpdf_icon

BCR112

BCR112... NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k , R2=4.7k ) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 BCR112 BCR112W C 3 R1 R2 1 2 B E EHA07184 Type Marking Pin Configuration Package BCR112 WFs 1=B 2=E 3=C - - - SOT23 BCR112W WFs 1=B 2=E 3=C - - - S

 9.1. Size:34K  siemens
bcr119.pdfpdf_icon

BCR112

BCR 119 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 119 WKs Q62702-C2255 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEB

Другие транзисторы: BCP69, BCP69T1, BCP69T3, BCR08PN, BCR108, BCR108S, BCR108W, BCR10PN, BDT88, BCR116, BCR116W, BCR119, BCR119S, BCR133, BCR133S, BCR133W, BCR135