Справочник транзисторов. BCR133W

 

Биполярный транзистор BCR133W Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCR133W
   Маркировка: WCs
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 10 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 130 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: SOT323
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCR133W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:34K  siemens
 bcr133w.pdf pdf_icon

BCR133W

BCR 133WNPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=10k, R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 133W WCs Q62702-C2286 1 = B 2 = E 3 = C SOT-323Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-bas

 8.1. Size:43K  siemens
 bcr133s.pdf pdf_icon

BCR133W

BCR 133SNPN Silicon Digital Transistor Array Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Two (galvanic) internal isolated Transistors in one package Built in bias resistors (R1=10k, R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 133S WCs Q62702-C2376 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT-363Maximum RatingsParameter Symbol Values

 8.2. Size:35K  siemens
 bcr133.pdf pdf_icon

BCR133W

BCR 133NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=10k, R2=10k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 133 WCs Q62702-C2256 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base v

 9.1. Size:35K  siemens
 bcr135.pdf pdf_icon

BCR133W

BCR 135NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k, R2=47k)Type Marking Ordering Code Pin Configuration PackageBCR 135 WJs Q62702-C2257 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCEO 50 VCollector-base voltage VCBO 50Emitter-base

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MMUN2231LT1 | DTC115EEB | 2SD882SQ-E

 

 
Back to Top

 


 
.