BCR512. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BCR512
Маркировка: XFs
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BCR512
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BCR512 даташит
bcr512.pdf
BCR 512 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, drive circuit Built in bias resistor (R1=4.7k , R2=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 512 XFs Q62702-C2445 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base
bcr512.pdf
BCR512 NPN Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 4.7 k , R2= 4.7 k ) 2 3 Pb-free (RoHS compliant) package 1 Qualified according AEC Q101 C 3 R1 R 2 1 2 B E EHA07184 Type Marking Pin Configuration Package BCR512 XFs SOT23 1=B 2=E 3=C Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit 50 V Collector-emitter voltage VCEO 50 Collector-base voltage V
bcr519.pdf
BCR 519 NPN Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=4.7k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 519 XKs UPON INQUIRY 1 = B 2 = E 3 = C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage VEB
Другие транзисторы: BCR198, BCR198S, BCR198W, BCR22PN, BCR35PN, BCR48PN, BCR503, BCR505, 2SA1837, BCR519, BCR521, BCR523, BCR533, BCR553, BCR555, BCR562, BCR569
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df



