BCR553. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCR553

Маркировка: XBs

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 2.2 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCR553

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCR553 даташит

 ..1. Size:35K  siemens
 bcr553.pdf pdf_icon

BCR553

BCR 553 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in bias resistor (R1=2.2k , R2=2.2k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 553 XBs Q62702-C2371 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base volta

 ..2. Size:525K  infineon
 bcr553.pdf pdf_icon

BCR553

BCR553 PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k , R2= 2.2 k ) 2 3 Pb-free (RoHS compliant) package 1 Qualified according AEC Q101 C 3 R1 R 2 1 2 B E EHA07183 Type Marking Pin Configuration Package BCR553 XBs SOT23 1=B 2=E 3=C Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit 50 V Collector-emitter voltage VCEO 50 Collector-base voltage V

 9.1. Size:35K  siemens
 bcr555.pdf pdf_icon

BCR553

BCR 555 PNP Silicon Digital Transistor Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit Built in resistor (R1 = 2.2k , R2 = 10k ) Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package BCR 555 XDs Q62702-C2383 1=B 2=E 3=C SOT-23 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Collector-emitter voltage VCEO 50 V Collector-base voltage VCBO 50 Emitter-base voltage

 9.2. Size:525K  infineon
 bcr555.pdf pdf_icon

BCR553

BCR555 PNP Silicon Digital Transistor Built in bias resistor (R1= 2.2 k , R2= 10 k ) 2 3 Pb-free (RoHS compliant) package 1 Qualified according AEC Q101 C 3 R1 R 2 1 2 B E EHA07183 Type Marking Pin Configuration Package BCR555 XDs SOT23 1=B 2=E 3=C Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit 50 V Collector-emitter voltage VCEO 50 Collector-base voltage VC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCR48PN, BCR503, BCR505, BCR512, BCR519, BCR521, BCR523, BCR533, BC558, BCR555, BCR562, BCR569, BCR571, BCR573, BCR583, BCV26, BCV27