Биполярный транзистор BCV48 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCV48
Маркировка: EE
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10000
Корпус транзистора: SOT89
BCV48 Datasheet (PDF)
bcv28 bcv48.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D109BCV28; BCV48PNP Darlington transistors1999 Apr 08Product specificationSupersedes data of 1997 Apr 21Philips Semiconductors Product specificationPNP Darlington transistors BCV28; BCV48FEATURES PINNING Very high DC current gain (min. 10000)PIN DESCRIPTION High current (max. 500 mA)1 emitter Low voltage
bcv28 bcv48.pdf
PNP Silicon Darlington Transistors BCV 28BCV 48 For general AF applications High collector current High current gain Complementary types: BCV 29, BCV 49 (NPN)Type Marking Ordering Code Pin Configuration Package1)(tape and reel) 1 2 3 4BCV 28 ED Q62702-C1852 B C E C SOT-89BCV 48 EE Q62702-C1854Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitBCV 28 BCV 48Collector-emitter vol
bcv28 bcv48.pdf
BCV28, BCV48PNP Silicon Darlington Transistors1 For general AF applications2 High collector current 32 High current gain Complementary types: BCV29, BCV49 (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101Type Marking Pin Configuration PackageBCV28 ED 1=B 2=C 3=E SOT89 BCV48 EE 1=B 2=C 3=E SOT89Maximum RatingsParameter Symbol Valu
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
