Биполярный транзистор BCW30LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BCW30LT1
Маркировка: C2
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 215
Корпус транзистора: TO236
BCW30LT1 Datasheet (PDF)
bcw29lt1 bcw30lt1.pdf
MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW29LT1/DGeneral Purpose TransistorsBCW29LT1PNP SiliconCOLLECTORBCW30LT131BASE32EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 32 VdcCASE 31808, STYLE 6CollectorBase Voltage VCBO 32 VdcSOT23 (TO236AB)EmitterBase Voltage VEBO 5.0 Vdc
bcw30lt1-d.pdf
BCW30LT1GGeneral PurposeTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant COLLECTOR31BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit2EMITTERCollector - Emitter Voltage VCEO -32 VdcCollector - Base Voltage VCBO -32 VdcEmitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc3Collector Current - Continuous IC -100
bcw30lt1g.pdf
BCW30LT1General PurposeTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures Pb-Free Packages are AvailableCOLLECTOR31MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector - Emitter Voltage VCEO -32 Vdc2EMITTERCollector - Base Voltage VCBO -32 VdcEmitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuous IC -100 mAdc3THERMAL CHARACTERISTICSCharacteris
bcw30lt1g sbcw30lt1g.pdf
ON SemiconductorIs NowTo learn more about onsemi, please visit our website at www.onsemi.comonsemi and and other names, marks, and brands are registered and/or common law trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba onsemi or its affiliates and/or subsidiaries in the United States and/or other countries. onsemi owns the rights to a number of patents, trademarks,
sbcw30lt1g.pdf
BCW30LT1G, SBCW30LT1GGeneral PurposeTransistorsPNP Siliconhttp://onsemi.comFeatures AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*SOT-23 (TO-236)CASE 318-08STYLE 6COLLECTORMAXIMUM RATINGS3Ratin
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050