Справочник транзисторов. BCW33CSM

 

Биполярный транзистор BCW33CSM Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCW33CSM
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: LCC3
 

 Аналог (замена) для BCW33CSM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCW33CSM Datasheet (PDF)

 9.1. Size:371K  motorola
bcw33lt1.pdfpdf_icon

BCW33CSM

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW33LT1/DGeneral Purpose TransistorBCW33LT1NPN SiliconCOLLECTOR313BASE122EMITTERMAXIMUM RATINGSCASE 31808, STYLE 6Rating Symbol Value UnitSOT23 (TO236AB)CollectorEmitter Voltage VCEO 20 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current

 9.2. Size:112K  philips
bcw31 bcw32 bcw33 2.pdfpdf_icon

BCW33CSM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBCW31; BCW32; BCW33NPN general purpose transistorsProduct data sheet 2004 Feb 06Supersedes data of 2000 Jul 04NXP Semiconductors Product data sheetBCW31; BCW32; NPN general purpose transistorsBCW33FEATURES PINNING Low current (100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector General

 9.3. Size:49K  philips
bcw31 bcw32 bcw33.pdfpdf_icon

BCW33CSM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETok, halfpageM3D088BCW31; BCW32; BCW33NPN general purpose transistorsProduct specification 2000 Jul 04Supersedes data of 1999 Apr 13Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BCW31; BCW32; BCW33FEATURES PINNING Low current (100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS

 9.4. Size:85K  fairchild semi
bcw33.pdfpdf_icon

BCW33CSM

BCW33NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose applications at collector 3currents to 300mA. Sourced from process 07.2SOT-231Mark: D31. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings * Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 32 VVCBO Collector-Base Voltage 32 VVEBO Emitte

Другие транзисторы... BCW31LT3 , BCW31R , BCW32 , BCW32CSM , BCW32LT1 , BCW32LT3 , BCW32R , BCW33 , 2SD669A , BCW33LT1 , BCW33LT3 , BCW33R , BCW34 , BCW35 , BCW36 , BCW37 , BCW38 .

 

 
Back to Top

 


 
.