Справочник транзисторов. BCW33R

 

Биполярный транзистор BCW33R Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCW33R
   Маркировка: D6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 420
   Корпус транзистора: TO236
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCW33R Datasheet (PDF)

 9.1. Size:371K  motorola
bcw33lt1.pdfpdf_icon

BCW33R

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW33LT1/DGeneral Purpose TransistorBCW33LT1NPN SiliconCOLLECTOR313BASE122EMITTERMAXIMUM RATINGSCASE 31808, STYLE 6Rating Symbol Value UnitSOT23 (TO236AB)CollectorEmitter Voltage VCEO 20 VdcCollectorBase Voltage VCBO 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 5.0 VdcCollector Current

 9.2. Size:112K  philips
bcw31 bcw32 bcw33 2.pdfpdf_icon

BCW33R

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBCW31; BCW32; BCW33NPN general purpose transistorsProduct data sheet 2004 Feb 06Supersedes data of 2000 Jul 04NXP Semiconductors Product data sheetBCW31; BCW32; NPN general purpose transistorsBCW33FEATURES PINNING Low current (100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 collector General

 9.3. Size:49K  philips
bcw31 bcw32 bcw33.pdfpdf_icon

BCW33R

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETok, halfpageM3D088BCW31; BCW32; BCW33NPN general purpose transistorsProduct specification 2000 Jul 04Supersedes data of 1999 Apr 13Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistors BCW31; BCW32; BCW33FEATURES PINNING Low current (100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS

 9.4. Size:85K  fairchild semi
bcw33.pdfpdf_icon

BCW33R

BCW33NPN General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose applications at collector 3currents to 300mA. Sourced from process 07.2SOT-231Mark: D31. Base 2. Emitter 3. Collector Absolute Maximum Ratings * Ta=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 32 VVCBO Collector-Base Voltage 32 VVEBO Emitte

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: KSH50I | KSC5024R | FJX3002R | 2N2108 | 2PB709AQW | RT3T33M | 2SD1077

 

 
Back to Top

 


 
.