Справочник транзисторов. BCW61RB

 

Биполярный транзистор BCW61RB Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BCW61RB
   Маркировка: BP_YB
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 125
   Корпус транзистора: SOT23
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BCW61RB Datasheet (PDF)

 9.1. Size:394K  motorola
bcw61blt.pdfpdf_icon

BCW61RB

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BCW61BLT1/DBCW61BLT1General Purpose TransistorsBCW61CLT1PNP SiliconCOLLECTORBCW61DLT131BASE32EMITTER1MAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitCollectorEmitter Voltage VCEO 32 VdcCASE 31808, STYLE 6SOT23 (TO236AB)CollectorBase Voltage VCBO 32 VdcEmitterBase Voltage VEB

 9.2. Size:48K  philips
bcw61 3.pdfpdf_icon

BCW61RB

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088BCW61 seriesPNP general purpose transistorsProduct specification 1999 Apr 12Supersedes data of 1997 May 28Philips Semiconductors Product specificationPNP general purpose transistors BCW61 seriesFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS

 9.3. Size:120K  philips
bcw61.pdfpdf_icon

BCW61RB

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETdbook, halfpageM3D088BCW61 seriesPNP general purpose transistorsProduct data sheet 1999 Apr 12Supersedes data of 1997 May 28 NXP Semiconductors Product data sheetPNP general purpose transistors BCW61 seriesFEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 32 V).1 base2 emitterAPPLICATIONS3 coll

 9.4. Size:46K  fairchild semi
bcw61a b c d.pdfpdf_icon

BCW61RB

BCW61A/B/C/DGeneral Purpose Transistor32SOT-2311. Base 2. Emitter 3. CollectorPNP Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings Ta=25C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage -32 V VCEO Collector-Emitter Voltage -32 V VEBO Emitter-Base Voltage -5.0 V IC Collector Current -100 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BU506D | DRA4152Z | KT657V-2 | CSA1532 | 2SA1539 | 2N2922 | CSD1563

 

 
Back to Top

 


 
.