BCX53-6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCX53-6

Маркировка: AJ

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BCX53-6

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCX53-6 даташит

 8.1. Size:1259K  nxp
 bcp53 bcp53-10 bcp53-16 bcx53 bcx53-10 bcx53-16 bc53pa bc53-10pa bc53-16pa.pdf pdf_icon

BCX53-6

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 8.2. Size:520K  infineon
 bcx51 bcx51-16 bcx52 bcx52-16 bcx53 bcx53-10 bcx53-16.pdf pdf_icon

BCX53-6

BCX51...-BCX53... PNP Silicon AF Transistors 1 For AF driver and output stages 2 High collector current 3 2 Low collector-emitter saturation voltage Complementary types BCX54...BCX56 (NPN) Pb-free (RoHS compliant) package Qualified according AEC Q101 Type Marking Pin Configuration Package BCX51 AA 1=B 2=C 3=E SOT89 BCX51-16 AD 1=B 2=C 3=E SOT89 BCX52 AE

 8.3. Size:874K  mcc
 bcx53 bcx53-10 bcx53-16.pdf pdf_icon

BCX53-6

BCX53,BCX53-10,BCX53-16 Electrical Characteristics @ 25 C Unless Otherwise Specified Parameter Symbol Min Typ Max Units Conditions V(BR)CBO -100 IC=-100 A, IE=0 Collector-Base Breakdown Voltage V V(BR)CEO -80 IC=-10mA, IB=0 Collector-Emitter Breakdown Voltage(Note4) V V(BR)EBO -5 IE=-100 A, IC=0 Emitter-Base Breakdown Voltage V ICBO VCB=-30V, IE=0 Collector Cutoff Current A

 8.4. Size:342K  panjit
 bcx53-16-au.pdf pdf_icon

BCX53-6

PBCX53-16-AU PNP Low Vce(sat) Transistor SOT-89 Unit inch(mm) Voltage -100V -1A Current Features Silicon PNP epitaxial type Low Vce(sat) -0.4V(max)@Ic/Ib= -500mA / -50mA High collector current capability Excellent DC current gain characteristics AEC-Q101 qualified Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 Green molding compound as per IEC 61

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCX51-6, BCX52, BCX52-10, BCX52-16, BCX52-6, BCX53, BCX53-10, BCX53-16, 2SC945, BCX54, BCX54-10, BCX54-16, BCX54-6, BCX55, BCX55-10, BCX55-16, BCX55-6