BCX70GLT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BCX70GLT1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BCX70GLT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BCX70GLT1 даташит

 6.1. Size:427K  motorola
 bcx70glt bcx70jlt bcx70klt.pdf pdf_icon

BCX70GLT1

MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BCX70GLT1/D BCX70GLT1 General Purpose Transistors NPN Silicon BCX70JLT1 COLLECTOR 3 BCX70KLT1 1 BASE 2 3 EMITTER MAXIMUM RATINGS 1 Rating Symbol Value Unit 2 Collector Emitter Voltage VCEO 45 Vdc Collector Base Voltage VCBO 45 Vdc CASE 318 08, STYLE 6 SOT 23 (TO 236AB) Emitter Base Voltage VEBO 5.0

 8.1. Size:75K  fairchild semi
 bcx70g.pdf pdf_icon

BCX70GLT1

BCX70G General Purpose Transistor 3 2 SOT-23 1 1. Base 2. Emitter 3. Collector NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 45 V VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current 200 mA PC Collector Power Dissipation 350 mW TSTG Storag

 8.2. Size:125K  nxp
 bcx70g bcx70h bcx70j bcx70k.pdf pdf_icon

BCX70GLT1

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BCX70 series NPN general purpose transistors Product data sheet 2004 Jan 16 Supersedes data of 1999 Apr 15 NXP Semiconductors Product data sheet NPN general purpose transistors BCX70 series FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA) PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 45 V). 1 base 2 emitter APPLICATIONS 3 collector General purpos

 8.3. Size:20K  samsung
 bcx70g.pdf pdf_icon

BCX70GLT1

BCX70G NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT-23 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO 45 V Collector-Emitter Voltage VCEO 45 V Emitter-Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 200 mA Collector Dissipation PC 350 mW Storage Temperature TSTG 150 Refer to KS5088 for graphs 1. Base 2. Em

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BCX68-16, BCX68-25, BCX69, BCX69-10, BCX69-16, BCX69-25, BCX70, BCX70G, BD139, BCX70H, BCX70J, BCX70JLT1, BCX70K, BCX70KLT1, BCX70RG, BCX70RH, BCX70RJ