BD107C - описание и поиск аналогов

 

BD107C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD107C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 64 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 64 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD107C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD107C даташит

 9.1. Size:206K  inchange semiconductor
 bd107.pdf pdf_icon

BD107C

isc Silicon NPN Power Transistor BD107 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 65V(Min) (BR)CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for driver and output stages and high Power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 65 V CBO V Colle

Другие транзисторы: BCZ13, BCZ14, BD106, BD106A, BD106B, BD107, BD107A, BD107B, TIP42, BD109, BD109-10, BD109-16, BD109-6, BD109A, BD109B, BD109C, BD109D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.