Биполярный транзистор BD109-10 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: BD109-10
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 18 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 63
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам