BD109-10 - описание и поиск аналогов

 

BD109-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD109-10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD109-10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD109-10 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: BD106, BD106A, BD106B, BD107, BD107A, BD107B, BD107C, BD109, 2SC945, BD109-16, BD109-6, BD109A, BD109B, BD109C, BD109D, BD111, BD111A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.