BD145 - описание и поиск аналогов

 

BD145. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD145

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD145

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD145 даташит

 ..1. Size:178K  inchange semiconductor
 bd145.pdf pdf_icon

BD145

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD145 DESCRIPTION Excellent Safe Operating Area Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 0.6V(Max)@ I = 3A CE(sat C Good Linearity of h FE Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for g

Другие транзисторы: BD140G, BD141, BD142, BD142-4, BD142-5, BD142-6, BD142-7, BD144, A1941, BD148, BD148-10, BD148-16, BD148-6, BD148B, BD148C, BD149, BD149-10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.