Биполярный транзистор BD169 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD169
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO126
BD169 Datasheet (PDF)
bd165 bd169.pdf
Order this documentMOTOROLAby BD165/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATABD165BD169Plastic Medium Power SiliconNPN Transistor1.5 AMPERE. . . designed for use as audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasiPOWER TRANSISTORScomplementary circuits.NPN SILICON DC Current Gain hFE = 40 (Min) @ IC = 0.15 Adc 45,
bd165 bd167 bd169.pdf
Continental Device India LimitedAn ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified CompanyTO-126 (SOT-32) Plastic Package BD165, BD167, BD169BD165, 167, 169 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORSComplementary BD166, 168, 170Audio Amplifier and Driver Circuit ApplicationsPIN CONFIGURATION1. EMITTER2. COLLECTOR3. BASE123ALL DIMENSIONS IN MMABSOLUTE MAXIMUM RATINGS165 167 169
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050