BD176-10 - описание и поиск аналогов

 

BD176-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD176-10

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD176-10

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD176-10 даташит

 9.1. Size:40K  fairchild semi
bd176 bd178 bd180.pdfpdf_icon

BD176-10

BD176/178/180 Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD 175/177/179 respectively TO-126 1 1. Emitter 2.Collector 3.Base PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO *Collector-Base Voltage BD176 - 45 V BD178 - 60 V BD180 - 80 V VCEO Collector-Emitter Voltage BD176 -

 9.2. Size:217K  cdil
bd175 bd176 bd177 bd178 bd179 bd180.pdfpdf_icon

BD176-10

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company BD176 EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS BD175 BD178 BD177 BD180 BD179 NPN PNP TO126 Plastic Package E C B Intended for use in Medium Power Linear Switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS DESCRIPTION SYMBOL BD175 BD177 BD179 UNIT BD176 BD178 BD180 Collector -Emitter Voltage VCE

 9.3. Size:122K  shantou-huashan
hsbd176.pdfpdf_icon

BD176-10

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD176 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Ta=25 Tstg Storage Temperature -55 150 Tj Junction Temperature 150 PC Collector Dissipation Tc=25

 9.4. Size:213K  inchange semiconductor
bd176.pdfpdf_icon

BD176-10

isc Silicon PNP Power Transistor BD176 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 40-250(Min)@ I = -0.15A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage - V = -45V(Min) CEO(SUS) Complement to type BD175 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы: BD171, BD172, BD173, BD175, BD175-10, BD175-16, BD175-6, BD176, D965, BD176-16, BD176-6, BD177, BD177-10, BD177-6, BD178, BD178-10, BD178-6

 

 

 

 

↑ Back to Top
.