Биполярный транзистор BD189 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD189
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO126
BD189 Datasheet (PDF)
..1. Size:207K inchange semiconductor
bd189.pdf
bd189.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BD189DESCRIPTIONDC Current Gain-: h = 40(Min)@ I = 0.5AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage -: V = 60V(Min)CEO(SUS)Complement to type BD190Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in 5~10 Watt audio amplifiers utilizingComplementary or quasi complementary
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050