BD214C - описание и поиск аналогов

 

BD214C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD214C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: TOP3

 Аналоги (замена) для BD214C

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD214C даташит

 9.1. Size:177K  inchange semiconductor
 bd214.pdf pdf_icon

BD214C

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor BD214 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Audio frequency power amplifier applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARA

Другие транзисторы... BD213-80 , BD213B , BD213C , BD214 , BD214-45 , BD214-60 , BD214-80 , BD214B , BD335 , BD215 , BD216 , BD220 , BD221 , BD222 , BD223 , BD224 , BD225 .

History: 2SC1431 | BD193 | BD193-5 | BD197 | BD225

 

 

 


 
↑ Back to Top
.