BD227-10 - описание и поиск аналогов

 

BD227-10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD227-10

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 63

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD227-10

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD227-10 даташит

 9.1. Size:754K  no
 bd220 bd221 bd222 bd223 bd224 bd225 bd226 bd227 bd228 bd229.pdf pdf_icon

BD227-10

 9.2. Size:142K  inchange semiconductor
 bd227 bd229 bd231.pdf pdf_icon

BD227-10

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistor BD227/229/231 DESCRIPTION DC Current Gain- hFE= 40(Min)@ IC= -0.15A Complement to Type BD226/228/230 APPLICATIONS Designed for use in driver stages in television circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD227 -45 VCBO Collector-Base Voltage BD229 -60 V

Другие транзисторы... BD223 , BD224 , BD225 , BD226 , BD226-10 , BD226-16 , BD226-6 , BD227 , SS8050 , BD227-16 , BD227-6 , BD228 , BD228-10 , BD228-16 , BD228-6 , BD229 , BD229-10 .

History: BD213C

 

 

 


 
↑ Back to Top
.