BD243C datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BD243C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 115 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BD243C
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BD243C даташит
bd243b bd244b bd243c bd244c.pdf
Order this document MOTOROLA by BD243B/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN BD243B Complementary Silicon Plastic BD243C* Power Transistors PNP . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. BD244B Collector Emitter Saturation Voltage VCE(sat) = 1.5 Vdc (Max) @ IC = 6.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage BD244C* VCEO(sus) =
bd243c bd244c.pdf
BD243C BD244C Complementary power transistors . Features Complementary NPN-PNP devices Applications Power linear and switching 3 2 1 Description TO-220 The device is manufactured in Planar technology with Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance Figure 1. Internal schematic diagram coupled with very low saturation vo
bd243 bd243a bd243b bd243c.pdf
BD243/A/B/C Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD244, BD244A, BD244B and BD244C respectively TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter NPN Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD243 45 V BD243A 60 V BD243B 80 V BD243C 100 V VCEO Collector-
bd243b bd243c bd244b bd244c.pdf
BD243B, BD243C (NPN), BD244B, BD244C (PNP) Complementary Silicon Plastic Power Transistors These devices are designed for use in general purpose amplifier and switching applications. www.onsemi.com Features 6 AMPERE High Current Gain Bandwidth Product POWER TRANSISTORS These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant* COMPLEMENTARY SILICON 80-100 VOLTS MAXIMUM RATINGS 65 W
Другие транзисторы: BD242B, BD242C, BD242D, BD242E, BD242F, BD243, BD243A, BD243B, S8550, BD243D, BD243E, BD243F, BD244, BD244A, BD244B, BD244C, BD244D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mdp1991 datasheet | 40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet







