Справочник транзисторов. BD249E

 

Биполярный транзистор BD249E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BD249E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для BD249E

 

 

BD249E Datasheet (PDF)

 9.1. Size:189K  onsemi
bd249c.pdf

BD249E
BD249E

BD249CNPN High-Power TransistorNPN high-power transistors are for general-purpose poweramplifier and switching applications.Features ESD Ratings: Machine Model, C; > 400 Vhttp://onsemi.comHuman Body Model, 3B; > 8000 V Epoxy Meets UL 94 V-0 @ 0.12525 AMP, 100 VOLT, 125 WATT Pb-Free Package is Available*NPN SILICONPOWER TRANSISTORMAXIMUM RATINGSRating Symbol

 9.2. Size:86K  bourns
bd249-a-b-c.pdf

BD249E
BD249E

BD249, BD249A, BD249B, BD249CNPN SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the SOT-93 PACKAGEBD250 Series(TOP VIEW) 125 W at 25C Case TemperatureB1 25 A Continuous Collector CurrentC 2 40 A Peak Collector Current Customer-Specified Selections Available3EPin 2 is in electrical contact with the mounting base.MDTRAAAabsolute ma

 9.3. Size:131K  mospec
bd249 bd250.pdf

BD249E
BD249E

AAA

 9.4. Size:121K  inchange semiconductor
bd249 a b c.pdf

BD249E
BD249E

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors BD249/A/B/C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BD250/A/B/C 125 W at 25C case temperature 25 A continuous collector current PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2 mounting base 3 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol Absolute maximum rat

 9.5. Size:194K  inchange semiconductor
bd249 bd249a bd249b bd249c.pdf

BD249E
BD249E

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD249/A/B/CDESCRIPTIONCollector Current -I = 25ACComplement to Type BD250/A/B/CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in general purpose power amplifier andswitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top