BD250 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD250

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для BD250

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD250 даташит

 ..1. Size:131K  mospec
 bd249 bd250.pdf pdf_icon

BD250

A A A

 ..2. Size:177K  cn sptech
 bd250 bd250a bd250b bd250c.pdf pdf_icon

BD250

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon PNP Power Transistor BD250/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -25A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min)- BD250; -60V(Min)- BD250A (BR)CEO -80V(Min)- BD250B; -100V(Min)- BD250C Complement to Type BD249/A/B/C APPLICATIONS Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications ABSOLUTE

 ..3. Size:122K  inchange semiconductor
 bd250 a b c.pdf pdf_icon

BD250

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD250/A/B/C DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type BD249/A/B/C 125 W at 25 C case temperature 25 A continuous collector current PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum rat

 ..4. Size:217K  inchange semiconductor
 bd250 bd250a bd250b bd250c.pdf pdf_icon

BD250

isc Silicon PNP Power Transistor BD250/A/B/C DESCRIPTION Collector Current -I = -25A C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -45V(Min)- BD250; -60V(Min)- BD250A (BR)CEO -80V(Min)- BD250B; -100V(Min)- BD250C Complement to Type BD249/A/B/C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in general purpose

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD246F, BD249, BD249A, BD249B, BD249C, BD249D, BD249E, BD249F, 2222A, BD250A, BD250B, BD250C, BD250D, BD250E, BD250F, BD251, BD253