2N2857. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2857

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO72

 Аналоги (замена) для 2N2857

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2857 даташит

 ..1. Size:433K  rca
 2n2857.pdf pdf_icon

2N2857

 ..2. Size:62K  central
 2n2857 2n3839.pdf pdf_icon

2N2857

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 ..3. Size:13K  semelab
 2n2857.pdf pdf_icon

2N2857

2N2857 MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) NPN TRANSISTOR 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) 4.95 (0.195) 4.52 (0.178) FEATURES SILICON NPN TRANSISTOR 0.48 (0.019) APPLICATIONS 0.41 (0.016) dia. AMPLIFIER, OSCILLATOR AND CONVERTER APPLICATIONS UP TO 500MHz 2.54 (0.100) Nom. 4 3 1 2 TO-72 METAL PACKAGE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VC

 0.1. Size:197K  semelab
 2n2857c1b.pdf pdf_icon

2N2857

SILICON RF SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR 2N2857C1 High Current Gain-Bandwidth Product (fT) Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For High Gain, Low Noise Amplifier, Oscillator and Mixer Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 30V VCEO Collector Emitt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2855, 2N2855-1, 2N2855-2, 2N2855-3, 2N2856, 2N2856-1, 2N2856-2, 2N2856-3, BD333, 2N2857CSM, 2N2857QF, 2N2857UB, 2N2858, 2N2859, 2N285A, 2N285B, 2N2860