BD262C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD262C

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD262C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD262C даташит

 9.1. Size:236K  inchange semiconductor
 bd262.pdf pdf_icon

BD262C

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Darlington Power Transistor BD262 DESCRIPTION Collector Emitter Sustaining Voltage V = CEO(SUS) -60V(Min.) DC Current Gain h = 750(Min) @ I = -2A FE C 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for general-purpose amplifier and low-speed

Другие транзисторы: BD258-45, BD258-60, BD258-80, BD260, BD261, BD262, BD262A, BD262B, 2SC5200, BD262L, BD263, BD263A, BD263B, BD263C, BD263L, BD264, BD264A