2N2857QF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N2857QF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.04 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: LCC6

 Аналоги (замена) для 2N2857QF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2857QF даташит

 8.1. Size:433K  rca
 2n2857.pdf pdf_icon

2N2857QF

 8.2. Size:62K  central
 2n2857 2n3839.pdf pdf_icon

2N2857QF

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

 8.3. Size:197K  semelab
 2n2857c1b.pdf pdf_icon

2N2857QF

SILICON RF SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR 2N2857C1 High Current Gain-Bandwidth Product (fT) Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For High Gain, Low Noise Amplifier, Oscillator and Mixer Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 30V VCEO Collector Emitt

 8.4. Size:196K  semelab
 2n2857c1.pdf pdf_icon

2N2857QF

SILICON RF SMALL SIGNAL NPN TRANSISTOR 2N2857C1 High Current Gain-Bandwidth Product (fT) Hermetic Ceramic Surface Mount Package Designed For High Gain, Low Noise Amplifier, Oscillator and Mixer Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C unless otherwise stated) VCBO Collector Base Voltage 30V VCEO Collector Emitt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2855-2, 2N2855-3, 2N2856, 2N2856-1, 2N2856-2, 2N2856-3, 2N2857, 2N2857CSM, BD222, 2N2857UB, 2N2858, 2N2859, 2N285A, 2N285B, 2N2860, 2N2861, 2N2862