BD277 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD277

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для BD277

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD277 даташит

 ..1. Size:105K  no
 bd277.pdf pdf_icon

BD277

 ..2. Size:209K  inchange semiconductor
 bd277.pdf pdf_icon

BD277

isc Silicon PNP Power Transistor BD277 DESCRIPTION Wide Area of Safe Operation Low Saturation Voltage- High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in series regulators and shunt regulators. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage -45

Другие транзисторы: BD269, BD269A, BD271, BD272, BD273, BD274, BD275, BD276, S9014, BD278, BD278A, BD279, BD280, BD281, BD282, BD283, BD284