Биполярный транзистор BD283 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BD283
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 85
Корпус транзистора: TO126
BD283 Datasheet (PDF)
pmbd2837 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBD2837; PMBD2838High-speed double diodes1996 Sep 18Product specificationSupersedes data of April 1996Philips Semiconductors Product specificationHigh-speed double diodes PMBD2837; PMBD2838FEATURES MARKING PINNING Small plastic SMD packageMARKING PIN DESCRIPTIONTYPE NUMBERCODE High switching speed: max.
pmbd2835 2.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PMBD2835; PMBD2836High-speed double diodes1996 Sep 18Product specificationSupersedes data of April 1996Philips Semiconductors Product specificationHigh-speed double diodes PMBD2835; PMBD2836FEATURES MARKING PINNING Small plastic SMD packageMARKING PIN DESCRIPTIONTYPE NUMBERCODE High switching speed: max.
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050