BD283 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD283

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 85

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD283

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD283 даташит

 0.1. Size:42K  philips
 pmbd2837 2.pdf pdf_icon

BD283

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PMBD2837; PMBD2838 High-speed double diodes 1996 Sep 18 Product specification Supersedes data of April 1996 Philips Semiconductors Product specification High-speed double diodes PMBD2837; PMBD2838 FEATURES MARKING PINNING Small plastic SMD package MARKING PIN DESCRIPTION TYPE NUMBER CODE High switching speed max.

 0.2. Size:42K  philips
 pmbd2835 2.pdf pdf_icon

BD283

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 PMBD2835; PMBD2836 High-speed double diodes 1996 Sep 18 Product specification Supersedes data of April 1996 Philips Semiconductors Product specification High-speed double diodes PMBD2835; PMBD2836 FEATURES MARKING PINNING Small plastic SMD package MARKING PIN DESCRIPTION TYPE NUMBER CODE High switching speed max.

Другие транзисторы: BD276, BD277, BD278, BD278A, BD279, BD280, BD281, BD282, BD335, BD284, BD285, BD286, BD287, BD288, BD291, BD292, BD293