Справочник транзисторов. BD335

 

Биполярный транзистор BD335 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD335
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 750
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD335 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:427K  philips
bd331 bd333 bd335 bd337.pdfpdf_icon

BD335

 ..2. Size:321K  st
bd331 bd332 bd333 bd334 bd335 bd336.pdfpdf_icon

BD335

 ..3. Size:209K  inchange semiconductor
bd335.pdfpdf_icon

BD335

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor BD335DESCRIPTIONHigh DC Current GainComplement to type BD336Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSNPN epitaxial base transistors in monolithic Darlingtoncircuit for audio output stages and general amplifier andswitching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: EMX26 | BC178 | NB312M

 

 
Back to Top

 


 
.