BD335 - описание и поиск аналогов

 

BD335. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD335

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для BD335

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD335 даташит

 ..1. Size:427K  philips
 bd331 bd333 bd335 bd337.pdf pdf_icon

BD335

 ..2. Size:321K  st
 bd331 bd332 bd333 bd334 bd335 bd336.pdf pdf_icon

BD335

 ..3. Size:209K  inchange semiconductor
 bd335.pdf pdf_icon

BD335

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD335 DESCRIPTION High DC Current Gain Complement to type BD336 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS NPN epitaxial base transistors in monolithic Darlington circuit for audio output stages and general amplifier and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие транзисторы... BD323C , BD328 , BD329 , BD330 , BD331 , BD332 , BD333 , BD334 , BD139 , BD336 , BD337 , BD338 , BD342 , BD343 , BD344 , BD345 , BD346 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.