BD354C - описание и поиск аналогов

 

BD354C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD354C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для BD354C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD354C даташит

 9.1. Size:132K  tesla
 kd135 kd136 kd137 kd138 kd139 kd140 bc211 bc313 bd354 bd355 kd333 kd334 kd335 kd336 kd337 kd338.pdf pdf_icon

BD354C

 9.2. Size:199K  inchange semiconductor
 bd354.pdf pdf_icon

BD354C

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD354 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.0V(Max)@ I = 2A CE(sat C Excellent Safe Operating Area Complement to Type BD355 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS Designed for

Другие транзисторы: BD350A, BD350B, BD351, BD351A, BD351B, BD354, BD354A, BD354B, TIP42C, BD355, BD355A, BD355B, BD355C, BD356, BD357, BD358, BD359

 

 

 

 

↑ Back to Top
.