BD366 - описание и поиск аналогов

 

BD366. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BD366

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для BD366

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD366 даташит

 ..1. Size:182K  inchange semiconductor
 bd366.pdf pdf_icon

BD366

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor BD366 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Excellent Safe Operating Area Complement to Type BD367 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for linear amplifiers, series pass regulators, and induc

Другие транзисторы: BD361A, BD362, BD362A, BD363, BD363A, BD363B, BD364, BD365, A940, BD367, BD368, BD369, BD370, BD370-10, BD370-16, BD370-6, BD370A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.