Биполярный транзистор 2N2870 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2870
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO3
2N2870 Datasheet (PDF)
Другие транзисторы... 2N2862 , 2N2863 , 2N2864 , 2N2865 , 2N2866 , 2N2867 , 2N2868 , 2N2869 , 2SA1943 , 2N2871 , 2N2872 , 2N2873 , 2N2874 , 2N2875 , 2N2876 , 2N2877 , 2N2878 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050