BD376 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD376  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD376

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD376 даташит

 ..1. Size:42K  fairchild semi
 bd376 bd378 bd380.pdf pdf_icon

BD376

BD376/378/380 Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD375, BD377 and BD379 respectively TO-126 1 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1. Emitter 2.Collector 3.Base Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD376 - 50 V BD378 - 75 V BD380 - 100 V VCEO Collector-Emitter Voltage B

 ..2. Size:51K  samsung
 bd376 bd378 bd380.pdf pdf_icon

BD376

BD376/378/380 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR MEDIUM POWER LINEAR AND TO-126 SWITCHING APPLICATIONS Complement to BD375, BD377 and BD379 respectively ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Characteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage BD376 VCBO - 50 V . BD378 - 75 V BD380 - 100 V Collector Emitter Voltage BD376 VCEO - 45 V 1. Emitter 2.Collector 3.Base BD378 - 60

 ..3. Size:157K  inchange semiconductor
 bd376 bd378 bd380 .pdf pdf_icon

BD376

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon PNP Power Transistors BD376/378/380 DESCRIPTION DC Current Gain- hFE= 20(Min)@ IC= -1A Complement to Type BD375/377/379 APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD376 -50 VCBO Collector-Base Voltage BD378 -75

 ..4. Size:214K  inchange semiconductor
 bd376 bd378 bd380.pdf pdf_icon

BD376

isc Silicon PNP Power Transistors BD376/378/380 DESCRIPTION DC Current Gain- h = 20(Min)@ I = -1A FE C Complement to Type BD375/377/379 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for medium power linear and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT BD376 -50 V Col

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD373D-10, BD373D-16, BD373D-6, BD375, BD375-10, BD375-16, BD375-25, BD375-6, 13007, BD376-10, BD376-16, BD376-25, BD376-6, BD377, BD377-10, BD377-16, BD377-25