Справочник транзисторов. BD435

 

Биполярный транзистор BD435 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BD435
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 36 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: TO126
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BD435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  st
bd433 bd435 bd437 bd434 bd436 bd438.pdfpdf_icon

BD435

BD433/5/7BD434/6/8COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES DESCRIPTION The BD433, BD435, and BD437 are siliconepitaxial-base NPN power transistors in JedecSOT-32 plastic package, intented for use inmedium power linear and switching applications.The BD433 is especially suitable for use in12car-radio output

 ..2. Size:51K  st
bd433 bd434 bd435 bd436 bd437 bd438.pdfpdf_icon

BD435

BD433/5/7BD434/6/8COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS STMicroelectronics PREFERREDSALESTYPE COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES DESCRIPTION The BD433, BD435, and BD437 are siliconepitaxial-base NPN power transistors in JedecSOT-32 plastic package, intented for use inmedium power linear and switching applications.12The BD433 is especially suitable for use in3car

 ..3. Size:44K  fairchild semi
bd433 bd435 bd437.pdfpdf_icon

BD435

BD433/435/437Medium Power Linear and Switching Applications Complement to BD434, BD436 and BD438 respectivelyTO-12611. Emitter 2.Collector 3.BaseNPN Epitaxial Silicon TransistorAbsolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage: BD433 22 V: BD435 32 V: BD437 45 V VCES Collector-Emitter Voltage: BD433

 ..4. Size:57K  samsung
bd433 bd435 bd437.pdfpdf_icon

BD435

BD433/435/437 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORMEDIUM POWER LINEAR AND SWITCHINGTO-126APPLICATIONS Complement to BD434, BD436 and BD438 respectivelyABSOLUTE MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector Base Voltage : BD433 VCBO 22 V: BD435 32 V: BD437 45 V Collector Emitter Voltage : BD433 VCES 22 V: BD435 32 V1. Emitter 2.Collector 3.Base: BD437 45 V

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BC517 | 2SC2553 | 2SD717

 

 
Back to Top

 


 
.