BD533K - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BD533K
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO220
Аналоги (замена) для BD533K
BD533K - технические параметры
bd533 bd534 bd535 bd536 bd537.pdf
BD533 BD535 BD537 BD534 BD536 Complementary power transistors . Features BD533, BD535, and BD537 are NPN transistors Description 3 The devices are manufactured in Planar 2 1 technology with Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain TO-220 performance coupled with very low saturation voltage. The PNP types are BD534 and BD536. Figure
bd533fp bd534fp.pdf
BD533FP BD534FP COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS BD534FP IS SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPE FULLY MOLDED ISOLATED PACKAGE 2000 V DC ISOLATION (U.L. COMPLIANT) DESCRIPTION The BD533FP is silicon epitaxial-base NPN power transistor in Jedec TO-220FP fully molded isolated package, intented for use in medium 3 2 power linear and switching applications. 1 The complementary P
bd533 bd534 bd535 bd536 bd537 bd538.pdf
BD533/5/7 BD534/6/8 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS BD534, BD535, BD536, BD537 AND BD538 ARE SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES DESCRIPTION The BD533, BD535, and BD537 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in Jedec TO-220 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. 3 2 The complementary PNP types are BD534, 1 BD536, and B
bd533 bd535 bd537.pdf
BD533/535/537 Medium Power Linear and Switching Applications Low Saturation Voltage Complement to BD534, BD536 and BD538 respectively TO-220 1 NPN Epitaxial Silicon Transistor 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD533 45 V BD535 60 V BD537 80 V VCES Collect
Другие транзисторы... BD529-1 , BD529-5 , BD530 , BD530-1 , BD530-5 , BD533 , BD533A , BD533J , 2SC828 , BD533L , BD534 , BD534A , BD534J , BD534K , BD534L , BD535 , BD535A .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923






