BD538J - описание и поиск аналогов

 

BD538J - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD538J
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD538J

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD538J - технические параметры

 9.1. Size:44K  st
bd533 bd534 bd535 bd536 bd537 bd538.pdfpdf_icon

BD538J

BD533/5/7 BD534/6/8 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS BD534, BD535, BD536, BD537 AND BD538 ARE SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES DESCRIPTION The BD533, BD535, and BD537 are silicon epitaxial-base NPN power transistors in Jedec TO-220 plastic package, intented for use in medium power linear and switching applications. 3 2 The complementary PNP types are BD534, 1 BD536, and B

 9.2. Size:36K  fairchild semi
bd534 bd536 bd538.pdfpdf_icon

BD538J

BD534/536/538 Medium Power Linear and Switching Applications Low Saturation Voltage Complement to BD533, BD535 and BD537 respectively TO-220 1 1.Base 2.Collector 3.Emitter PNP Epitaxial Silicon Transistor Absolute Maximum Ratings TC=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage BD534 - 45 V BD536 - 60 V BD538 - 80 V VCEO C

 9.3. Size:72K  cdil
bd533 bd534 bd535 bd536 bd537 bd538.pdfpdf_icon

BD538J

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company TO-220 Plastic Package BD533, BD535, BD537 BD534, BD536, BD538 BD533, 535, 537 NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS BD534, 536, 538 PNP PLASTIC POWER TRANSISTORS Medium Power Linear and Switching Applications PIN CONFIGURATION 4 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 4. COLLECTOR 1 2 3 C DIM MIN. MAX.

 9.4. Size:119K  inchange semiconductor
bd534 bd536 bd538.pdfpdf_icon

BD538J

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors BD534/536/538 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type BD533/535/537 Low saturation voltage APPLICATIONS For medium power linear and switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting base 3 Base Absolute maximum ratings (Ta=25

Другие транзисторы... BD536L , BD537 , BD537A , BD537J , BD537K , BD537L , BD538 , BD538A , 2N5401 , BD538K , BD538L , BD539 , BD539A , BD539B , BD539C , BD539D , BD540 .

History: 2SA1694O | 2N470 | 2SA1694P

 

 
Back to Top

 


 
.