BD539A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BD539A  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BD539A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD539A даташит

 ..1. Size:190K  inchange semiconductor
 bd539a.pdf pdf_icon

BD539A

isc Silicon NPN Power Transistor BD539A DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 60V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD540A Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 9.1. Size:82K  bourns
 bd539-a-b-c-d.pdf pdf_icon

BD539A

BD539, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the BD540 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 45 W at 25 C Case Temperature 5 A Continuous Collector Current B 1 Up to 120 V VCEO rating C 2 E 3 Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRACA absolute maximum ratings at 25 C case temperature (unle

 9.2. Size:85K  power-innovations
 bd539.pdf pdf_icon

BD539A

BD539, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Copyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the BD540 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 45 W at 25 C Case Temperature 5 A Continuous Collector Current B 1 C 2 Up to 120 V VCEO rating E 3 Pin 2 is in electrical contact with the mounting base

 9.3. Size:190K  inchange semiconductor
 bd539c.pdf pdf_icon

BD539A

isc Silicon NPN Power Transistor BD539C DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD540C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BD537K, BD537L, BD538, BD538A, BD538J, BD538K, BD538L, BD539, C5198, BD539B, BD539C, BD539D, BD540, BD540A, BD540B, BD540C, BD540D