BD539D - описание и поиск аналогов

 

BD539D - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BD539D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для BD539D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BD539D - технические параметры

 ..1. Size:191K  inchange semiconductor
 bd539d.pdf pdf_icon

BD539D

isc Silicon NPN Power Transistor BD539D DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 120V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD540D Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

 9.1. Size:82K  bourns
 bd539-a-b-c-d.pdf pdf_icon

BD539D

BD539, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Designed for Complementary Use with the BD540 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 45 W at 25 C Case Temperature 5 A Continuous Collector Current B 1 Up to 120 V VCEO rating C 2 E 3 Pin 2 is in electrical contact with the mounting base. MDTRACA absolute maximum ratings at 25 C case temperature (unle

 9.2. Size:85K  power-innovations
 bd539.pdf pdf_icon

BD539D

BD539, BD539A, BD539B, BD539C, BD539D NPN SILICON POWER TRANSISTORS Copyright 1997, Power Innovations Limited, UK JUNE 1973 - REVISED MARCH 1997 Designed for Complementary Use with the BD540 Series TO-220 PACKAGE (TOP VIEW) 45 W at 25 C Case Temperature 5 A Continuous Collector Current B 1 C 2 Up to 120 V VCEO rating E 3 Pin 2 is in electrical contact with the mounting base

 9.3. Size:190K  inchange semiconductor
 bd539c.pdf pdf_icon

BD539D

isc Silicon NPN Power Transistor BD539C DESCRIPTION DC Current Gain - h = 40(Min.)@ I = 0.5A FE C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 100V(Min) (BR)CEO Complement to Type BD540C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in medium power linear and switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATIN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BD538A , BD538J , BD538K , BD538L , BD539 , BD539A , BD539B , BD539C , 2SA1943 , BD540 , BD540A , BD540B , BD540C , BD540D , BD543 , BD543A , BD543B .

 

 
Back to Top

 


 
.